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中科院在多晶黑硅太阳能电池研讨中获打破环亚娱乐ag88登录

2018-09-19 22:04

  中科院在多晶黑硅太阳能电池研讨中获打破

  日前,中科院微电子研讨地点多晶黑硅太阳能电池研讨方面取得重要打破。

  黑硅是一种低反射率的硅资料,和惯例的硅资料比较,它具有超强的吸收光线的才能,可用于太阳能电池工业。微电子所微电子设备研讨室(八室)夏洋研讨员带领的研讨团队原创性地提出使用等离子体浸没离子注入技能制备黑硅资料。该团队使用自行研发的等离子体浸没离子注入机(国家自然科学基金委、中科院配备项目、方向性项目支撑)制备了多种微观结构的黑硅资料,在可见光波段黑硅的均匀反射率为0.5%,与飞秒激光制备黑硅的反射率适当。一起该工艺习惯大批量制备,成本低,出产功率高。

  相关科研论文宣布在Solar Energy、Energy Procedia、Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena、《物理学报》等期刊上,环亚娱乐ag88登录,已申请专利30余项。

  经过对黑硅结构进行优化,凯时娱乐人生!而且对出产线电池配套工艺进行改善,在全国产设备出产线研宣布多晶黑硅太阳能电池(156mm×156mm,多晶),批量均匀功率高达17.46%,最高可到17.65%。

低反射的多晶黑硅 高功率多晶黑硅太阳电池

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黑硅外表微观结构,外表很多的纳米孔能够添加光吸收

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  批量多晶黑硅电池试验数据
 

  

   多晶硅太阳能电池中科院微电子所